是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.82 |
Is Samacsys: | N | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 14 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 180 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFP451CF | NSC |
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IRFP451CF | |
IRFP451FI | NJSEMI |
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Trans MOSFET 450V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-3P | |
IRFP451R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-247 | |
IRFP452 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS | |
IRFP452 | STMICROELECTRONICS |
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12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 | |
IRFP452 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247 | |
IRFP452R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 | |
IRFP453 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS | |
IRFP453 | NJSEMI |
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Trans MOSFET 450V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3P | |
IRFP453FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR |