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IRFP450

更新时间: 2024-09-30 22:51:39
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 217K
描述
N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRFP450 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.08
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):14 A
最大漏极电流 (ID):13 A最大漏源导通电阻:0.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):180 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFP450 数据手册

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IRFP450 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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N-channel MOS-FET(500V, 0,38ヘ, 14A, 190W)
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