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IRFH5250TRPBF

更新时间： 2024-11-06 05:39:27

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HEXFET Power MOSFET

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IRFH5250TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.1	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	468 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	45 A
最大漏源导通电阻：	0.00175 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-N5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFH5250TRPBF 数据手册

PD-96265

IRFH5250PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

1.15

Q_{g (typical)}

R_{G (typical)}

1.3

I_D

PQFN 5X6 mm

100

(@T_c(Bottom)= 25°C)

Applications

• OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current

• Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET

FeaturesandBenefits

Features

Benefits

Ω

Low RDSon (<1.15 m )

Lower Conduction Losses

Enable better thermal dissipation

Increased Reliability

Low Thermal Resistance to PCB (<0.5°C/W)

100% Rg tested

Low Profile (<0.9 mm)

results in Increased Power Density

Industry-Standard Pinout

⇒

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Industrial Qualification

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Form

Tape and Reel

Note

Quantity

4000

IRFH5250TRPBF

IRFH5250TR2PBF

PQFN 5mm x 6mm

400

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Max.

Units

V_DS

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

@ T_C(Bottom)= 25°C

@ T_C(Bottom)= 100°C

100

400

3.6

Power Dissipation

@T_A= 25°C

Power Dissipation

@T_C(Bottom)= 25°C

250

0.029

-55 to + 150

Linear Derating Factor

Operating Junction and

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Notes through are on page 8

www.irf.com

09/18/09

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFH5255PBF	INFINEON	获取价格	Control MOSFET for high Frequency Buck Converters
IRFH5255TR2PBF	INFINEON	获取价格	Control MOSFET for high Frequency Buck Converters
IRFH5300	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFH5300PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFH5300TR2PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
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IRFH5301	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
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