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IRFH5301PBF

更新时间： 2024-11-06 05:39:27
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 305K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFH5301PBF 技术参数

生命周期：Active包装说明：6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.0029 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PQFP-N5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFH5301PBF 数据手册

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PD-96276  
IRFH5301PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDS  
30  
V
RDS(on) max  
(@VGS = 10V)  
1.85  
m
Ω
Qg (typical)  
RG (typical)  
37  
nC  
1.5  
Ω
ID  
PQFN 5X6 mm  
100  
A
(@Tc(Bottom) = 25°C)  
Applications  
• OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current  
• Synchronous MOSFET for Buck Converters  
• Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET  
FeaturesandBenefits  
Features  
Benefits  
Low RDSon (<1.85mΩ)  
Low Thermal Resistance to PCB (<1.1°C/W)  
100% Rg tested  
Lower Conduction Losses  
Increased Power Density  
Increased Reliability  
Low Profile (<0.9 mm)  
results in Increased Power Density  
Industry-Standard Pinout  
Multi-Vendor Compatibility  
⇒
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen  
MSL1, Industrial Qualification  
Easier Manufacturing  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
Orderable part number  
Package Type  
Standard Pack  
Form  
Tape and Reel  
Tape and Reel  
Note  
Quantity  
4000  
IRFH5301TRPBF  
IRFH5301TR2PBF  
PQFN 5mm x 6mm  
PQFN 5mm x 6mm  
400  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
30  
Parameter  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
V
± 20  
35  
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
D
D
28  
@ TA = 70°C  
100  
100  
400  
3.6  
A
@ TC(Bottom) = 25°C  
@ TC(Bottom) = 100°C  
DM  
P
P
@TA = 25°C  
Power Dissipation  
D
D
W
W/°C  
°C  
110  
0.029  
Power Dissipation  
@TC(Bottom) = 25°C  
Linear Derating Factor  
-55 to + 150  
Operating Junction and  
T
T
J
Storage Temperature Range  
STG  
Notes  through † are on page 8  
www.irf.com  
1
11/18/09  
12345678

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