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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFH5302PBF
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IRFH5302PBF

更新时间： 2024-11-06 05:39:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 205K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFH5302PBF 技术参数

生命周期：Active包装说明：6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：130 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：32 A最大漏源导通电阻：0.0035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PQFP-N5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFH5302PBF 数据手册

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PD -97156  
IRFH5302PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDS  
30  
V
RDS(on) max  
(@VGS = 10V)  
2.1  
Ω
m
Qg (typical)  
RG (typical)  
29  
1.6  
nC  
Ω
ID  
100  
A
(@Tc(Bottom) = 25°C)  
PQFN 5X6 mm  
Applications  
• OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current  
• Synchronous MOSFET for buck converters  
• Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET  
Features and Benefits  
Features  
Benefits  
≤
Ω)  
Low RDSon ( 2.1m  
Lower Conduction Losses  
Enable better thermal dissipation  
Increased Reliability  
≤
Low Thermal Resistance to PCB ( 1.2°C/W)  
100% Rg tested  
≤
Low Profile ( 0.9 mm)  
results in Increased Power Density  
⇒
Industry-Standard Pinout  
Multi-Vendor Compatibility  
Easier Manufacturing  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen  
MSL1, Industrial Qualification  
Orderable part number  
Package Type  
Standard Pack  
Note  
Form  
Tape and Reel  
Tape and Reel  
Quantity  
4000  
IRFH5302TRPBF  
IRFH5302TR2PBF  
PQFN 5mm x 6mm  
PQFN 5mm x 6mm  
400  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Max.  
30  
± 20  
32  
Units  
VDS  
VGS  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
ID @ TC(Bottom) = 25°C  
ID @ TC(Bottom) = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
26  
A
100  
100  
400  
3.6  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
PD @TA = 25°C  
PD @ TC(Bottom) = 25°C  
W
100  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
0.029  
-55 to + 150  
W/°C  
°C  
TJ  
TSTG  
Notes  through † are on page 8  
www.irf.com  
1
10/20/09  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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