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IRFF9132

更新时间: 2024-01-10 00:50:21
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NJSEMI 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 686K
描述
Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39

IRFF9132 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.37雪崩能效等级(Eas):500 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):5.5 A
最大漏源导通电阻:0.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-205AFJESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):22 A认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFF9132 数据手册

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