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IRFB4620

更新时间： 2024-01-13 18:32:35

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	297K
描述
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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IRFB4620 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.46	雪崩能效等级（Eas）：	113 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.0725 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	144 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB4620 数据手册

IRFB4620PbF

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

R₁

R₂

0.1

Ri (°C/W) τi (sec)

^Jτ_J

0.456

0.000311

^Cτ

0.02

0.01

¹τ₁

Ci= τi/Ri

0.589

0.003759

²τ₂

0.01

0.001

Notes:

1. Duty Factor D = t1/t2

2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc

SINGLE PULSE

( THERMAL RESPONSE )

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

, Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 13. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

100

Duty Cycle = Single Pulse

Allowed avalanche Current vs avalanche

pulsewidth, tav, assuming ∆Tj = 150°C and

Tstart =25°C (Single Pulse)

0.01

0.05

0.10

Allowed avalanche Current vs avalanche

pulsewidth, tav, assuming ∆Τ j = 25°C and

Tstart = 150°C.

0.1

1.0E-06

1.0E-05

1.0E-04

1.0E-03

1.0E-02

1.0E-01

tav (sec)

Fig 14. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth

120

Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 14, 15:

(For further info, see AN-1005 at www.irf.com)

1. Avalanche failures assumption:

Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a temperature far in

excess of T_jmax. This is validated for every part type.

2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asT_jmaxis not exceeded.

3. Equation below based on circuit and waveforms shown in Figures 16a, 16b.

4. P_{D (ave)}= Average power dissipation per single avalanche pulse.

5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for voltage increase

during avalanche).

6. I_av= Allowable avalanche current.

7. ∆T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed T_jmax(assumed as

25°C in Figure 14, 15).

t_{av =}Average time in avalanche.

D = Duty cycle in avalanche = t_av·f

TOP

BOTTOM 1.0% Duty Cycle

= 15A

Single Pulse

100

Z_thJC(D, t_av) = Transient thermal resistance, see Figures 13)

P_{D (ave)}= 1/2 ( 1.3·BV·I_av) = DT/ Z_thJC

100

125

150

175

I_av= 2DT/ [1.3·BV·Z_th]

Starting T , Junction Temperature (°C)

E_{AS (AR)}= P_{D (ave)}·t_av

Fig 15. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature

www.irf.com

1 2 3 456 7 8 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFB4620PBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRFB4710	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)	获取价格
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IRFB52N15D	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)	获取价格
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