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IRFB4620

更新时间： 2024-02-11 13:54:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 297K
描述
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. 

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IRFB4620 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：4.46雪崩能效等级（Eas）：113 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A最大漏极电流 (ID)：25 A
最大漏源导通电阻：0.0725 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：144 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFB4620 数据手册

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IRFB4620PbF  
1000  
100  
10  
1000  
100  
10  
VGS  
15V  
12V  
VGS  
15V  
12V  
TOP  
TOP  
10V  
10V  
8.0V  
7.0V  
6.0V  
5.5V  
5.0V  
8.0V  
7.0V  
6.0V  
5.5V  
5.0V  
BOTTOM  
BOTTOM  
5.0V  
1
5.0V  
1
0.1  
0.01  
60µs PULSE WIDTH  
Tj = 175°C  
≤
60µs PULSE WIDTH  
Tj = 25°C  
≤
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0.1  
1
10  
100  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
DS  
Fig 1. Typical Output Characteristics  
Fig 2. Typical Output Characteristics  
1000  
100  
10  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
I
= 15A  
D
V
= 10V  
GS  
T = 175°C  
J
T
= 25°C  
J
1
V
= 50V  
DS  
≤
60µs PULSE WIDTH  
0.1  
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180  
, Junction Temperature (°C)  
T
J
V
, Gate-to-Source Voltage (V)  
GS  
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature  
Fig 3. Typical Transfer Characteristics  
14.0  
100000  
10000  
1000  
100  
V
= 0V,  
= C  
f = 1 MHZ  
GS  
I = 15A  
D
C
C
C
+ C , C  
SHORTED  
ds  
iss  
gs  
gd  
V
= 160V  
= 100V  
12.0  
10.0  
8.0  
DS  
= C  
rss  
oss  
gd  
V
DS  
= C + C  
ds  
gd  
VDS= 40V  
C
iss  
6.0  
C
oss  
4.0  
C
rss  
2.0  
0.0  
10  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
1
10  
100  
1000  
Q
, Total Gate Charge (nC)  
G
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
Fig 5. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage  
Fig 6. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage  
www.irf.com  
3
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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