Datasheet > IRFB4615PBF

IRFB4615PBF

更新时间： 2024-02-15 13:18:53

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFB4615PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	109 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.039 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	144 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IRFB4615PbF

TO-220AB Package Outline

Dimensions are shown in millimeters (inches)

TO-220AB Part Marking Information

TO-220AB packages are not recommended for Surface Mount Application.

Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/

Data and specifications subject to change without notice.

This product has been designed and qualified for the Industrial market.

Qualification Standards can be found on IR’s Web site.

IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105

TAC Fax: (310) 252-7903

Visit us at www.irf.com for sales contact information. 09/2008

www.irf.com

1...5 6 78

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFB4620	INFINEON	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim	获取价格
IRFB4620PBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRFB4710	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)	获取价格
IRFB4710PBF	INFINEON	HEXFET㈢ Power MOSFET	获取价格
IRFB52N15	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)	获取价格
IRFB52N15D	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)	获取价格