5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF841-010 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF841F | ETC |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k) |
|
| IRF841FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
|
| IRF841R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF842 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
|
| IRF842 | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| IRF842 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS N-CHANNEL |
|
| IRF842-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF842-012PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF842FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 500V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
