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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.57 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF840W | MOTOROLA |
获取价格 |
8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF841 | INFINEON |
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TRANSISTORS N-CHANNEL |
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| IRF841 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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| IRF841 | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| IRF841 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF841 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF841 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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| IRF841-010 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF841F | ETC |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k) |
|
| IRF841FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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