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IRF7805ZPBF-1 PDF预览

IRF7805ZPBF-1

更新时间： 2024-01-12 14:06:53
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 255K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor

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IRF7805ZPBF-1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.08配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IRF7805ZPBF-1 数据手册

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IRF7805ZPbF-1  
HEXFET® Power MOSFET  
VDS  
30  
6.8  
18  
V
A
A
D
1
2
3
4
8
S
S
S
G
RDS(on) max  
(@VGS = 10V)  
Qg (typical)  
m
Ω
7
D
nC  
A
6
D
ID  
5
D
16  
(@TA = 25°C)  
SO-8  
Top View  
Applications  
l
High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in  
Networking & Computing Systems.  
Features  
Industry-standard pinout SO-8 Package  
Benefits  
Multi-Vendor Compatibility  
⇒
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant, Halogen-Free  
MSL1, Industrial qualification  
Easier Manufacturing  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
Standard Pack  
Form  
Base Part Number  
Package Type  
Orderable Part Number  
Quantity  
Tube/Bulk  
Tape and Reel  
95  
4000  
IRF7805ZPbF-1  
IRF7805ZTRPbF-1  
IRF7805ZPbF-1  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
30  
± 20  
16  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
12  
A
120  
2.5  
1.6  
DM  
Power Dissipation  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
W
D
D
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.02  
-55 to + 150  
W/°C  
°C  
T
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
°C/W  
Rθ  
Rθ  
JL  
–––  
50  
JA  
Notes  through ꢀ are on page 10  
1
www.irf.com © 2013 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
November 20, 2013  
1234567...10

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IRF7805ZPBF-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7805Z INFINEON

完全替代

 HEXFET Power MOSFET
IRF7805ZTRPBF-1 INFINEON

类似代替

 Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET
IRF7805ZPBF INFINEON

功能相似

 High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & C

与IRF7805ZPBF-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7805ZTRPBF INFINEON

获取价格

 		High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter
IRF7805ZTRPBF-1 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET
IRF7805ZUPBF INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IRF7805ZUTRPBF INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, MS-012AA, LEAD FREE, SOP-8
IRF7807 INFINEON

获取价格

 		Chip-Set for DC-DC Converters
IRF7807A INFINEON

获取价格

 		Chip-Set for DC-DC Converters
IRF7807APBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Chip-Set for DC-DC Converters
IRF7807APBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7807ATR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7807ATRPBF-1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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