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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF734 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF734-007PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF734-013PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF734-018 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF734-018PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF734-019PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF7341 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7341G | INFINEON |
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The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers |
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| IRF7341GPBF | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRF7341GTRPbF | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET |
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