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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.07 | 雪崩能效等级（Eas）： | 550 mJ |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 154 ns | 最大开启时间（吨）： | 120 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF644-001 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF644-018PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF644-031PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF644A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRF644B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRF644B_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF644B-FP001 | ONSEMI |
获取价格 |
分立式 MOSFET |
|
| IRF644BJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF644FPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF644FXPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
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