5秒后页面跳转
IRF630-001 PDF预览

IRF630-001

更新时间: 2024-09-13 18:40:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
1页 42K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRF630-001 数据手册

  

与IRF630-001相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF630-001PBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF630-006 NJSEMI

获取价格

Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF630-010PBF VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF630-012PBF VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF630A ISC

获取价格

isc N-Channel MOSFET Transistor
IRF630A FAIRCHILD

获取价格

Advanced Power MOSFET
IRF630A MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF630A NJSEMI

获取价格

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IRF630A16A MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF630AF MOTOROLA

获取价格

9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB