5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF630AJ | MOTOROLA |
获取价格 |
9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRF630AJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF630B | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| IRF630B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| IRF630B | ISC |
获取价格 |
isc N-Channel MOSFET Transistor |
|
| IRF630C | MOTOROLA |
获取价格 |
9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRF630D1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF630F | ISC |
获取价格 |
N-channel mosfet transistor |
|
| IRF630FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| IRF630FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
