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IRF5804

更新时间： 2024-01-26 23:07:34
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 101K
描述
Power MOSFET(Vdss=-40V)

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IRF5804 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：2.5 A最大漏源导通电阻：0.198 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-193AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF5804 数据手册

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PD - 94333  
IRF5804  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
l Available in Tape & Reel  
l Low Gate Charge  
VDSS  
-40V  
RDS(on) max (mΩ)  
198@VGS = -10V  
ID  
-2.5A  
334@VGS = -4.5V  
-2.0A  
Description  
These P-channel HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievetheextremelylowon-resistance  
per silicon area. This benefit provides the designer  
withanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryand  
load management applications.  
A
1
2
6
D
D
D
5
D
3
4
G
S
The TSOP-6 package with its customized leadframe  
produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on)  
60% less than a similar size SOT-23. This package is  
idealforapplicationswhereprintedcircuitboardspace  
isatapremium. It'suniquethermaldesignandRDS(on)  
reductionenablesacurrent-handlingincreaseofnearly  
300% compared to the SOT-23.  
TSOP-6  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain- Source Voltage  
Max.  
-40  
Units  
V
VDS  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-2.5  
-2.0  
A
-10  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation ƒ  
2.0  
W
Power Dissipation ƒ  
1.3  
Linear Derating Factor  
0.016  
± 20  
mW/°C  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
V
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
62.5  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
10/04/01  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF5804TR INFINEON

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IRF5804TRPBF INFINEON

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获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-30V)
IRF5805PBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
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