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IRF5852

更新时间： 2024-01-24 15:11:25
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 240K
描述
Power MOSFET(Vdss=20V)

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IRF5852 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.37配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A
最大漏极电流 (ID)：2.7 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：2
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.96 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF5852 数据手册

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PD - 93999  
IRF5852  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS  
20 V  
RDS(on) max (Ω)  
0.090@VGS = 4.5V  
0.120@VGS = 2.5V  
ID  
2.7A  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
2.2A  
l Available in Tape & Reel  
l Low Gate Charge  
Description  
TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficient  
device for use in battery and load management  
applications.  
G1  
S2  
1
2
3
6
5
4
D1  
S1  
D2  
G2  
This Dual TSOP-6 package is ideal for applications  
where printed circuit board space is at a premium and  
where maximum functionality is required. With two  
die per package, the IRF5852 can provide the  
functionality of two SOT-23 packages in a smaller  
footprint. Its unique thermal design and RDS(on)  
reduction enables an increase in current-handling  
capability.  
TSOP-6  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain- Source Voltage  
Max.  
20  
Units  
V
VDS  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
2.7  
2.2  
A
11  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation ƒ  
Power Dissipationƒ  
Linear Derating Factor  
0.96  
0.62  
7.7  
W
mW/°C  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
V
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
130  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
3/1/01  
1234567...9

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与IRF5852相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF5852TRPBF INFINEON

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 		Ultra Low On-Resistance
IRF5D ETC

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 		Analog IC
IRF5EA1310 INFINEON

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 		POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=23A)
IRF5EA1310PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.036ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF5M3205 INFINEON

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