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IRF5M3415SCV

更新时间： 2024-09-28 11:12:43

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	910K
描述
150V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV

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IRF5M3415SCV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.049 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF5M3415SCV 数据手册

PD- 94286B

IRF5M3415

150V, N-CHANNEL

HEXFET^®MOSFET TECHNOLOGY

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-254AA)

Product Summary

Part Number

BV_DSS

RDS(on)

I_D

IRF5M3415

150V

35A

0.049

TO-254AA

Features

Description

Fifth Generation HEXFET^®power MOSFET technology

is the key to IR Hirel utilize advanced processing

techniques to achieve the lowest possible on-resistance

per silicon unit area. This benefit, combined with the fast

switching speed and ruggedized device design that

 Low RDS(on)

 Avalanche Energy Ratings

 Dynamic dv/dt Rating

 Simple Drive Requirements

 Hermetically Sealed

 Light Weight

HEXFET^®

power MOSFETs are well known for,

provides the designer with an extremely efficient device

for use in a wide variety of applications.

These devices are well-suited for applications such as

switching power supplies, motor controls, inverters,

choppers, audio amplifiers and high-energy pulse

circuits.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Value

Parameter

Units

I_D1@ V_GS= 10V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D2@ V_GS= 10V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

140

125

1.0

I_DM@T_C= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Pulsed Drain Current 

Maximum Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

V_GS

E_AS

I_AR

± 20

290

E_AR

dv/dt

T_J

12.5

2.0

V/ns

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063in./1.6mm from case for 10s)

9.3 (Typical)

Weight

For footnotes refer to the page 2.

2021-04-29

International Rectifier HiRel Products, Inc.

12 3 4 5 6 7

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与IRF5M3415SCV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF5M3415SCX	INFINEON	获取价格	150V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX
IRF5M3710	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.03ohm, Id=35A)
IRF5M4905	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-55V, Rds(on)=0.03ohm, Id=-35A*)
IRF5M4905A	INFINEON	获取价格	-55V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Lead Form Down
IRF5M4905DPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905SCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRF5M4905SCV	INFINEON	获取价格	-55V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV
IRF5M4905SCVA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905SCVAPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述

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