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IRF5M4905SCS

更新时间： 2024-09-29 21:21:39

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	349K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IRF5M4905SCS 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
雪崩能效等级（Eas）：	490 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
参考标准：	MIL-19500	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	225 ns	最大开启时间（吨）：	200 ns
Base Number Matches：	1

IRF5M4905SCS 数据手册

PD-94155A

IRF5M4905

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-254AA)

55V, P-CHANNEL

HEXFET MOSFET TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number

R_DS(on)

I_D

IRF5M4905

-35A*

0.03

TO-254AA

Description

Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from IR HiRel

utilize advanced processing techniques to achieve the

lowest possible on-resistance per silicon unit area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs

are well known for, provides the designer with an extremely

efficient device for use in a wide variety of applications.

Features



Low R_DS(on)

Avalanche Energy Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Light Weight

These devices are well-suited for applications such as switching

power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio

amplifiers and high-energy pulse circuits.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

-35*

I_D@ V_GS= -10V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D@ V_GS= -10V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

-35*

-140

125

1.0

I_DM

Pulsed Drain Current 

W/°C

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

± 20

490

V_GS

E_AS

I_AR

-35

12.5

V/ns

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

-2.2

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)

9.3 (Typical)

Weight

* Current is limited by package

For Footnotes refer to the page 2.

2016-06-29

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF5M4905SCV	INFINEON	获取价格	-55V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV
IRF5M4905SCVA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905SCVAPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF5M4905SCVB	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905SCVBPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905SCVC	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905SCVCPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF5M4905SCX	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905SCXA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905SCXAPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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