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IRF5EA1310PBF

更新时间： 2024-02-04 08:52:16
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 238K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.036ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-28

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IRF5EA1310PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：LCC
包装说明：CHIP CARRIER, S-CQCC-N28针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：73 mJ配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-CQCC-N28元件数量：4
端子数量：28工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：92 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF5EA1310PBF 数据手册

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PD-93977  
HEXFET® POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (LCC-28)  
IRF5EA1310  
100V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
DSS  
RDS(on)  
ID  
IRF5EA1310  
100V  
0.036Ω  
23A  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
LCC-28  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, invert-  
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
23  
15  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
92  
DM  
@ T = 25°C  
P
38  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.3  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
±20  
73  
GS  
E
mJ  
A
AS  
I
22  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
3.8  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
3.6  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
300 (for 5 s)  
0.89  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
1019/00  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF5M3205 INFINEON

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 		POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.015ohm, Id=35A)
IRF5M3205_15 INFINEON

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 		Avalanche Energy Ratings
IRF5M3205SCV INFINEON

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 		HEXFET® POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRF5M3205SCX INFINEON

获取价格

 		55V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX
IRF5M3205U INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF5M3205UPBF INFINEON

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 		150V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV
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