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IRF5M3205SCV

更新时间： 2024-02-09 11:35:32
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 115K
描述
HEXFET® POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

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IRF5M3205SCV 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66雪崩能效等级（Eas）：475 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-MSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：METAL封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF5M3205SCV 数据手册

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PD - 94292A  
HEXFET® POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
IRF5M3205  
55V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
RDS(on)  
ID  
DSS  
IRF5M3205  
55V  
0.015Ω 35A*  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
TO-254AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, invert-  
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
35*  
35*  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
140  
DM  
@ T = 25°C  
P
125  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
1.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
475  
mJ  
A
AS  
I
35  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
12.5  
2.6  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in./1.6mm from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
08/28/01  
1234567

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与IRF5M3205SCV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF5M3205SCX INFINEON

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 		55V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX
IRF5M3205U INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF5M3205UPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF5M3415 INFINEON

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 		150V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV
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 		-55V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Lead Form Down
IRF5M4905DPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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