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IRF5M4905SCXAPBF

更新时间： 2023-07-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	115K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

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IRF5M4905SCXAPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	雪崩能效等级（Eas）：	490 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF5M4905SCXAPBF 数据手册

PD - 94155

HEXFET^®POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-254AA)

IRF5M4905

55V, P-CHANNEL

Product Summary

Part Number

RDS(on)

DSS

IRF5M4905

-55V

0.03Ω

-35A*

Fifth Generation HEXFET^®power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance

per silicon unit area. This benefit, combined with the

fast switching speed and ruggedized device design

that HEXFET power MOSFETs are well known for,

providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice

for use in a wide variety of applications.

TO-254AA

Features:

Low RDS(on)

Avalanche Energy Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Light Weight

These devices are well-suited for applications such

as switching power supplies, motor controls, invert-

ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse

circuits.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= -10V, T = 25°C Continuous Drain Current

-35*

= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

-140

125

@ T = 25°C

W/°C

Linear Derating Factor

1.0

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

490

-35

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

12.5

2.2

V/ns

dv/dt

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063in./1.6mm from case for 10s)

9.3 (Typical)

* Current is limited by package

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

03/26/01

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF5M4905SCXBPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905SCXCPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905SCXPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905UPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF5M5210	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.07ohm, Id=-34A)
IRF5M5210A	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRF5M5210D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF5M5210DPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF5M5210PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF5M5210SCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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