IRF5M3205U

更新时间： 2024-02-19 04:12:53

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
7页	114K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF5M3205U 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.25	雪崩能效等级（Eas）：	475 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.015 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-MSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF5M3205U 数据手册

PD - 94292A

HEXFET^®POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-254AA)

IRF5M3205

55V, N-CHANNEL

Product Summary

Part Number

RDS(on)

DSS

IRF5M3205

55V

0.015Ω 35A*

Fifth Generation HEXFET^®power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance

per silicon unit area. This benefit, combined with the

fast switching speed and ruggedized device design

that HEXFET power MOSFETs are well known for,

providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice

for use in a wide variety of applications.

TO-254AA

Features:

Low RDS(on)

Avalanche Energy Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Light Weight

These devices are well-suited for applications such

as switching power supplies, motor controls, invert-

ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse

circuits.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

35*

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

140

@ T = 25°C

125

W/°C

Linear Derating Factor

1.0

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

475

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

12.5

2.6

V/ns

dv/dt

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063in./1.6mm from case for 10s)

9.3 (Typical)

* Current is limited by package

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

08/28/01

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IRF5M3205U相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF5M3205UPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF5M3415	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=10V, Rds(on)=0.049ohm,Id=35A)
IRF5M3415SCV	INFINEON	获取价格	150V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV
IRF5M3415SCX	INFINEON	获取价格	150V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX
IRF5M3710	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.03ohm, Id=35A)
IRF5M4905	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-55V, Rds(on)=0.03ohm, Id=-35A*)
IRF5M4905A	INFINEON	获取价格	-55V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Lead Form Down
IRF5M4905DPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF5M4905SCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IRF5M3205U相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

2
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

3
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

5
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF5M3205U

IRF5M3205U 技术参数

IRF5M3205U 数据手册

与IRF5M3205U相关器件

与IRF5M3205U相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF5M3205U

IRF5M3205U 技术参数

IRF5M3205U 数据手册

与IRF5M3205U相关器件

与IRF5M3205U相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？