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IRF5805TRPBF

更新时间： 2024-01-10 19:31:17

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	204K
描述
Ultra Low On-Resistance

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IRF5805TRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.54
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.8 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

IRF5805TRPBF 数据手册

PD -95340A

IRF5805PbF

HEXFET^®Power MOSFET

l Ultra Low On-Resistance

l P-Channel MOSFET

l Surface Mount

l Available in Tape & Reel

l Low Gate Charge

l Lead-Free

V_DSS

-30V

R_DS(on)max

0.098@V_GS= -10V

0.165@V_GS= -4.5V

I_D

-3.8A

-3.0A

l Halogen-Free

Description

TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifier

utilize advanced processing techniques to achieve the

extremely low on-resistance per silicon area. This

benefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficient

device for use in battery and load management

applications.

The TSOP-6 package with its customized leadframe

produces a HEXFET^®power MOSFET with R_DS(on)

60% less than a similar size SOT-23. This package is

idealforapplicationswhereprintedcircuitboardspace

isatapremium. It'suniquethermaldesignandR_DS(on)

reductionenablesacurrent-handlingincreaseofnearly

300% compared to the SOT-23.

Top View

TSOP-6

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

-30

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current

-3.8

-3.0

-15

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

1.28

0.02

W/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient

Max.

62.5

Units

°C/W

R_θJA

www.irf.com

04/20/10

12 3 4 5 6 7...9

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IRF5805TRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTGS3455T1G	ONSEMI	功能相似	MOSFET -3.5 Amps, -30 Volts P−Channel TSOP−6

与IRF5805TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF5806	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-20V)
IRF5806PBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRF5806TR	INFINEON	获取价格	Transistor
IRF5806TRPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRF5810	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-20V)
IRF5810PBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRF5810TRPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRF5850	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.135ohm)
IRF5850TR	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRF5850TRPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance