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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TSOP-6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.2 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.09 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-193AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.96 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF5810PBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRF5810TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRF5850 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.135ohm) |
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| IRF5850TR | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRF5850TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRF5851 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss = +-20 V) |
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| IRF5851PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF5851TR | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| IRF5851TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Dual N and P Channel MOSFET |
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| IRF5852 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V) |
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