是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.81 | 其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (ID): | 2.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.198 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MO-193AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF5805 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-30V) | |
IRF5805PBF | INFINEON |
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暂无描述 | |
IRF5805TRPBF | INFINEON |
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Ultra Low On-Resistance | |
IRF5806 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-20V) | |
IRF5806PBF | INFINEON |
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Ultra Low On-Resistance | |
IRF5806TR | INFINEON |
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Transistor | |
IRF5806TRPBF | INFINEON |
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Ultra Low On-Resistance | |
IRF5810 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-20V) | |
IRF5810PBF | INFINEON |
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Ultra Low On-Resistance | |
IRF5810TRPBF | INFINEON |
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Ultra Low On-Resistance |