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IRF5804TR

更新时间： 2024-01-27 04:10:33

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Transistor

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IRF5804TR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.91
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

IRF5804TR 数据手册

PD - 94333A

IRF5804

HEXFET^®Power MOSFET

l Ultra Low On-Resistance

l P-Channel MOSFET

l Surface Mount

l Available in Tape & Reel

l Low Gate Charge

V_DSS

-40V

R_DS(on)max (mW)

198@V_GS= -10V

I_D

-2.5A

334@V_GS= -4.5V

-2.0A

Description

These P-channel HEXFET^®Power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniquestoachievetheextremelylowon-resistance

per silicon area. This benefit provides the designer

withanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryand

load management applications.

The TSOP-6 package with its customized leadframe

produces a HEXFET^®power MOSFET with R_DS(on)

60% less than a similar size SOT-23. This package is

idealforapplicationswhereprintedcircuitboardspace

isatapremium. It'suniquethermaldesignandR_DS(on)

reductionenablesacurrent-handlingincreaseofnearly

300% compared to the SOT-23.

TSOP-6

Top View

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain- Source Voltage

Max.

-40

Units

V_DS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current

-2.5

-2.0

-10

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Power Dissipation

2.0

1.3

Linear Derating Factor

0.016

± 20

mW/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

T_J,T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient

Max.

62.5

Units

°C/W

R_θJA

www.irf.com

1/13/03

12 3 4 5 6 7...9

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