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IRF5803TRPBF

更新时间： 2024-01-14 03:39:10

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HEXFETPower MOSFET

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IRF5803TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.7
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRF5803TRPBF 数据手册

PD-95262B

IRF5803PbF

HEXFET^®Power MOSFET

l Ultra Low On-Resistance

l P-Channel MOSFET

l Surface Mount

l Available in Tape & Reel

l Low Gate Charge

l Lead-Free

V_DSS

-40V

R_DS(on)max (mW)

112@V_GS= -10V

I_D

-3.4A

190@V_GS= -4.5V

-2.7A

l Halogen-Free

Description

These P-channel HEXFET^®Power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniquestoachievetheextremelylowon-resistance

per silicon area. This benefit provides the designer

withanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryand

load management applications.

TSOP-6

Top View

The TSOP-6 package with its customized leadframe

produces a HEXFET^®power MOSFET with R_DS(on)

60% less than a similar size SOT-23. This package is

idealforapplicationswhereprintedcircuitboardspace

isatapremium. It'suniquethermaldesignandR_DS(on)

reductionenablesacurrent-handlingincreaseofnearly

300% compared to the SOT-23.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain- Source Voltage

Max.

-40

Units

V_DS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current

-3.4

-2.7

-27

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Power Dissipation

2.0

1.3

Linear Derating Factor

mW/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

T_J,T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient

Max.

62.5

Units

°C/W

R_θJA

www.irf.com

04/20/10

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