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IRF3709ZSTRL

更新时间： 2024-02-12 04:47:14

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	330K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

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技术参数
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IRF3709ZSTRL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	87 A
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.0063 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3709ZSTRL 数据手册

IRF3709Z/S/L

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

Limited By Package

= 250µA

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175 200

, Temperature ( °C )

100

125

150

175

, Case Temperature (°C)

Fig 9. Maximum Drain Current vs.

Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature

Case Temperature

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

R₁

R₂

Ri (°C/W) τi (sec)

0.1

0.01

^Jτ_J

0.832

0.000221

^Cτ

0.02

0.01

¹τ₁

Ci= τi/Ri

²τ₂

1.058

0.001171

SINGLE PULSE

( THERMAL RESPONSE )

Notes:

1. Duty Factor D = t1/t2

2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

, Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IRF3709ZSTRRPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRF3709ZTRRPBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
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