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IRF3709ZSTRL

更新时间： 2024-01-06 03:34:44

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	330K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

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IRF3709ZSTRL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	87 A
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.0063 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3709ZSTRL 数据手册

IRF3709Z/S/L

Static @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Drain-to-Source Breakdown Voltage

Min. Typ. Max. Units

30 ––– –––

Conditions

V_GS= 0V, I_D= 250µA

BV_DSS

∆ΒV_DSS/∆T_J

R_DS(on)

Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.021 ––– mV/°C Reference to 25°C, I_D= 1mA

mΩ

Static Drain-to-Source On-Resistance

–––

1.35

–––

5.0

6.2

6.3

7.8

V_GS= 10V, I_D= 21A

V_GS= 4.5V, I_D= 17A

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS(th)

Gate Threshold Voltage

–––

-5.5

–––

2.25

∆V_GS(th)/∆T_J

I_DSS

Gate Threshold Voltage Coefficient

Drain-to-Source Leakage Current

––– mV/°C

1.0

150

100

µA

_DS= 24V, V_GS= 0V

_DS= 24V, V_GS= 0V, T_J= 125°C

I_GSS

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Forward Transconductance

Total Gate Charge

nA V_GS= 20V

_GS= -20V

––– -100

gfs

–––

V_DS= 15V, I_D= 17A

Q_g

–––

Q_gs1

Q_gs2

Q_gd

Q_godr

Q_sw

Q_oss

t_d(on)

t_r

Pre-Vth Gate-to-Source Charge

Post-Vth Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain Charge

4.4

1.7

6.0

4.9

7.7

–––

V_DS= 15V

_GS= 4.5V

_D= 17A

See Fig. 14a&b

Gate Charge Overdrive

Switch Charge (Q_gs2+ Q_gd)

Output Charge

nC V_DS= 16V, V_GS= 0V

_DD= 15V, V_GS= 4.5V

Turn-On Delay Time

Rise Time

I_D= 17A

t_d(off)

t_f

Turn-Off Delay Time

Fall Time

ns Clamped Inductive Load

4.7

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

––– 2130 –––

_GS= 0V

–––

450

220

–––

_DS= 15V

ƒ = 1.0MHz

Avalanche Characteristics

Parameter

Single Pulse Avalanche Energy

Typ.

–––

Max.

Units

E_AS

I_AR

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

7.9

Diode Characteristics

Parameter

Continuous Source Current

Min. Typ. Max. Units

Conditions

MOSFET symbol

I_S

–––

(Body Diode)

Pulsed Source Current

showing the

integral reverse

I_SM

–––

350

(Body Diode)

p-n junction diode.

V_SD

t_rr

Diode Forward Voltage

–––

1.0

T = 25°C, I = 17A, V = 0V

J S GS

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

ns T = 25°C, I = 17A, V_DD= 15V

J F

Q_rr

di/dt = 100A/µs

6.2

9.3

www.irf.com

123 4 5 6 7...12

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与IRF3709ZSTRL相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF3709ZSTRLPBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRF3709ZSTRRPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRF3709ZTRRPBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRF3710	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)	获取价格
IRF3710L	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)	获取价格
IRF3710LPBF	INFINEON	HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on)	获取价格

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