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IRF3709ZSTRL

更新时间： 2024-02-11 23:49:06

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	330K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

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技术参数
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IRF3709ZSTRL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	87 A
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.0063 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3709ZSTRL 数据手册

IRF3709Z/S/L

Driver Gate Drive

P.W.

Period

D =

D.U.T

=10V

Circuit Layout Considerations

• Low Stray Inductance

• Ground Plane

• Low Leakage Inductance

Current Transformer

D.U.T. I Waveform

Reverse

Recovery

Current

Body Diode Forward

Current

di/dt

D.U.T. V Waveform

Diode Recovery

dv/dt

V_DD

Re-Applied

Voltage

•

dv/dt controlled by R_G

• Driver same type as D.U.T.

R_G

Body Diode

Forward Drop

• I_SDcontrolled by Duty Factor "D"

• D.U.T. - Device Under Test

Inductor Curent

Ripple ≤ 5%

* V_GS= 5V for Logic Level Devices

Fig 17. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel

HEXFET^®Power MOSFETs

L_D

V_DS

V_DD

D.U.T

V_GS

Pulse Width < 1µs

Duty Factor < 0.1%

Fig 18a. Switching Time Test Circuit

V_DS

90%

10%

V_GS

t_d(on)

t_d(off)

t_r

t_f

Fig 18b. Switching Time Waveforms

www.irf.com

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