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IRF3709ZLTRLPBF

更新时间： 2024-11-07 13:08:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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11页	124K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, TO-262, 3 PIN

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IRF3709ZLTRLPBF 数据手册

IRF3709/3709S/3709L

Static @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ. Max. Units

30 ––– –––

––– 0.029 ––– V/°C Reference to 25°C, I_D= 1mA

Conditions

V_(BR)DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= 250µA

∆V_(BR)DSS/∆T_JBreakdown Voltage Temp. Coefficient

–––

1.0

6.4

9.0

V_GS= 10V, I_D= 15A

V_GS= 4.5V, I_D= 12A

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

mΩ

R_DS(on)

V_GS(th)

I_DSS

Static Drain-to-Source On-Resistance

Gate Threshold Voltage

7.4 10.5

––– 3.0

––– ––– 20

––– ––– 100

––– ––– 200

––– ––– -200

V_DS= 24V, V_GS= 0V

µA

Drain-to-Source Leakage Current

V_DS= 24V, V_GS= 0V, T_J= 125°C

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

V_GS= 16V

I_GSS

_GS= -16V

Dynamic @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Symbol

g_fs

Parameter

Forward Transconductance

Total Gate Charge

Min. Typ. Max. Units

Conditions

––– –––

27 41

V_DS= 15V, I_D= 30A

I_D= 15A

Q_g

–––

Q_gs

Q_gd

Q_oss

t_d(on)

t_r

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

Output Gate Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

6.7 –––

9.7 –––

22 –––

11 –––

nC V_DS= 16V

V_GS= 5.0V

V_GS= 0V, V_DS= 10V

V_DD= 15V

––– 171 –––

I_D= 30A

t_d(off)

t_f

Turn-Off Delay Time

Fall Time

–––

21 –––

9.2 –––

R_G= 1.8Ω

V_GS= 4.5V

V_GS= 0V

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

––– 2672 –––

––– 1064 –––

––– 109 –––

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

V_DS= 16V

ƒ = 1.0MHz

Avalanche Characteristics

Symbol

E_AS

Parameter

Single Pulse Avalanche Energy

Typ.

–––

Max.

382

Units

I_AR

Avalanche Current

–––

Diode Characteristics

Symbol

I_S

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

Continuous Source Current

(Body Diode)

MOSFET symbol

showing the

––– –––

I_SM

Pulsed Source Current

(Body Diode)

integral reverse

p-n junction diode.

360

––– 0.88 1.3

––– 0.82 –––

T_J= 25°C, I_S= 30A, V_GS= 0V

V_SD

Diode Forward Voltage

T_J= 125°C, I_S= 30A, V_GS= 0V

T_J= 25°C, I_F= 30A, V_R=15V

t_rr

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

––– 48

––– 46

––– 48

––– 52

Q_rr

t_rr

nC di/dt = 100A/µs

ns T_J= 125°C, I_F= 30A, V_R=15V

nC di/dt = 100A/µs

Q_rr

www.irf.com

123 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF3709ZLTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF3709ZPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZS	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZSTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF3709ZSTRLPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF3709ZSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF3709ZTRRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF3710	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
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