是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.74 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 213 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 62 A | 最大漏源导通电阻: | 0.012 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 248 A |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF3708PBF | INFINEON |
类似代替 |
SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF3708L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A) | |
IRF3708LPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRF3708PBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRF3708S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A) | |
IRF3708SPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRF3708STRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRF3708STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRF3708STRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRF3708STRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 | |
IRF3709 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id |