IRF3708

更新时间： 2024-02-01 23:42:56

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A)

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IRF3708 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
雪崩能效等级（Eas）：	213 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	62 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	248 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3708 数据手册

PD - 93938B

IRF3708

IRF3708S

IRF3708L

SMPS MOSFET

Applications

HEXFET^®Power MOSFET

l High Frequency DC-DC Isolated Converters

with Synchronous Rectification for Telecom

and Industrial Use

V_DSS

30V

R_DS(on)max

I_D

12mΩ

62A

l High Frequency Buck Converters for

Computer Processor Power

Benefits

l Ultra-Low Gate Impedance

l Very Low R_DS(on)at 4.5V V_GS

D²Pak

IRF3708S

TO-262

IRF3708L

l Fully Characterized Avalanche Voltage

TO-220AB

IRF3708

and Current

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

V_GS

Gate-to-Source Voltage

±12

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

248

P_D@T_C= 25°C

P_D@T_C= 70°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.58

W/°C

°C

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 175

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

Max.

1.73

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

–––

0.50

–––

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

°C/W

Junction-to-Ambient (PCB mount)*

When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .

For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994

Notes through are on page 10

www.irf.com

8/22/00

12 3 4 5 6 7...10

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