5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 5.47 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 382 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.1 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF3709 | INFINEON |
类似代替  |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF3709S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id |
|
| IRF3709SPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
|
| IRF3709STRL | INFINEON |
获取价格 |
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK |
|
| IRF3709STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF3709STRR | INFINEON |
获取价格 |
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK |
|
| IRF3709Z | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF3709ZCL | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF3709ZCLPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF3709ZCS | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF3709ZCSPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
