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IPW50R140CP

更新时间： 2024-10-28 03:40:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	362K
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CoolMOSTM Power Transistor

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IPW50R140CP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.45
雪崩能效等级（Eas）：	616 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	23 A
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	192 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPW50R140CP 数据手册

IPW50R140CP

1 Power dissipation

2 Safe operating area

I _D=f(V _DS); T _C=25 °C; D =0

parameter: t _p

_tot=f(T _C)

10²

200

180

160

140

120

100

limited by on-state

resistance

1 µs

10 µs

100 µs

1 ms

10¹

10 ms

10⁰

10^-1

10⁰

10¹

10²

10³

100

_C[°C]

125

150

175

_DS[V]

3 Max. transient thermal impedance

_(thJC)=f(t_p);

4 Typ. output characteristics

I _D=f(V _DS); T _j=25 °C

parameter: D=t _p/T

parameter: V _GS

10⁰

20 V

10 V

8 V

0.5

0.2

7 V

10^-1

6 V

0.1

0.05

0.02

5.5 V

0.01

5 V

single pulse

4.5 V

10^-2

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

_DS[V]

_p[s]

Rev. 1.01

page 4

2007-02-06

1 2 345 6 7...10

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