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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1954 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏源导通电阻： | 0.041 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 272 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IPW60R041C6FKSA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IPW60R041P6 | INFINEON | 英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 |
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| IPW60R041P6FKSA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IPW60R045CP | INFINEON | CoolMOS Power Transistor |
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| IPW60R045CP_08 | INFINEON | CoolMOS Power Transistor |
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| IPW60R045CPA | INFINEON | CoolMOS Power Transistor |
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