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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 8.4 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1954 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 77.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.041 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 481 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 272 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPW60R045CP | INFINEON |
类似代替  |
CoolMOS Power Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPW60R041C6FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IPW60R041P6 | INFINEON |
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英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 |
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| IPW60R041P6FKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IPW60R045CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPW60R045CP_08 | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPW60R045CPA | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
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| IPW60R045CPAFKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPW60R045CPFKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPW60R045CS | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor |
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| IPW60R045P7 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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