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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-247AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 7.83 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1135 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 53 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 53 A | 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 391 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 159 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FCH47N60_F133 | FAIRCHILD |
功能相似  |
N-Channel SuperFET MOSFET |
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| FCH47N60F_F133 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel SuperFET FRFET MOSFET |
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| STW55NM60ND | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 600 V - 0.047 ヘ - 51 A TO-247 FDmes |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPW60R070CFD7 | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPW60R070CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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| IPW60R070P6 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPW60R070P6 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 |
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| IPW60R075CP | INFINEON |
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Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolu |
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| IPW60R075CPA | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPW60R075CPAFKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 600V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPW60R080P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS? P7?超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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| IPW60R090CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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| IPW60R099C6 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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