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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.38 | 雪崩能效等级（Eas）： | 796 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 37.9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.099 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 112 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPW60R099C6XK | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPW60R099C7 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPW60R099C7_15 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPW60R099CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPW60R099CP_08 | INFINEON |
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Cool MOS Power Transistor Feature new revolutionary high voltage technology |
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| IPW60R099CPA | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPW60R099CPXK | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPW60R099P6 | INFINEON |
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英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 |
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| IPW60R099P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS? P7?超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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| IPW60R099P7XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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