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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 53 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPW60R180P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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| IPW60R190C6 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPW60R190C6FKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPW60R190E6 | INFINEON |
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600V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPW60R190P6 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPW60R190P6_15 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPW60R199CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPW60R199CP | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPW60R199CP_08 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPW60R199CPFKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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