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IPW60R125C6

更新时间: 2024-11-02 05:39:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体半导体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
18页 2076K
描述
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

IPW60R125C6 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-247
包装说明:GREEN, PLASTIC PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:1 week
风险等级:8.41雪崩能效等级(Eas):636 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.125 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-247JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):219 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):89 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPW60R125C6 数据手册

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MOSFET  
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  
CoolMOS C6  
600V CoolMOS™ C6 Power Transistor  
IPx60R125C6  
Data Sheet  
Rev. 2.1, 2010-02-09  
Final  
Industrial & Multimarket  

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