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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 2.29 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1954 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏源导通电阻： | 0.041 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 267 A | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPW60R045CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPW60R045CP_08 | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPW60R045CPA | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPW60R045CPAFKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPW60R045CPFKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPW60R045CS | INFINEON |
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CoolMOSTM Power Transistor |
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| IPW60R045P7 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPW60R055CFD7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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| IPW60R060C7 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPW60R060C7XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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