5秒后页面跳转
IPW60R045CPFKSA1 PDF预览

IPW60R045CPFKSA1

更新时间: 2024-11-21 17:07:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 645K
描述
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

IPW60R045CPFKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-247
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:18 weeks
风险等级:7.81雪崩能效等级(Eas):1950 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):60 A最大漏源导通电阻:0.045 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):230 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPW60R045CPFKSA1 数据手册

 浏览型号IPW60R045CPFKSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPW60R045CPFKSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPW60R045CPFKSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPW60R045CPFKSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPW60R045CPFKSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPW60R045CPFKSA1的Datasheet PDF文件第7页 
9?E-'@'+,4?  
4VVS=>Aa # : A0< & <,9 =4=>: <  
7LHZ[XLY  
# <: /?.> % ?88,<C  
-
+
*
!/  0Z]Qh  
/.)  
N
U 3 CF@8K=89 69GH + Tc%_^ =B 0+     
U 1 @HF5 @CK ;5H9 7<5F;9  
)')-.  
"
=K"_^#%]Qh  
W%di`  
*.) ^<  
U " LHF9A9 8Jꢃ8H F5H98  
U % =;< D95? 7IFF9B H 75D56=@=HM  
   
U - I5@=:=98 ꢀꢁ ꢂ ꢃꢄ ꢅ ꢆ ꢇ ꢈꢂꢃꢉ ꢊ ꢋ ꢂꢉ ꢅ ꢌ ꢉ ꢍ ꢍ ꢊꢃꢎ ꢉ ꢈꢃꢁ ꢄ ꢇ 577CF8=B ; HC ' " !"   
U ,6ꢆ:F99 @958 D@5H=B ;ꢇ . C% / 7CAD@=5B H  
H@&LG+-0&,&*  
 : : 7! " %  # 4= =;0.4,77C /0=429 0/ 1: <ꢁ  
U % 5F8 GK=H7<=B ; /) ,/ HCDC@C;=9G  
B_WL  
?HJRHNL  
" </0<49 2  : /0 =HXRPUN  
KH))))/0*-2 /J)-.  
BHO/)J)-.<H  
H@&LG+-0&,&*  
! ,B48?8 <,>49 2=ꢂ 5H , Z   X   IB @9GG CH<9FK=G9 GD97=:=98  
DHS[L  
/)  
?HXHTLZLX  
A_TIVS 4VUKPZPVUY  
CUPZ  
(
, <   X  
, <    X  
, <   X  
  CB H=B ICIG 8F5=B 7IFF9B H  
9
=
,1  
,I@G98 8F5=B 7IFF9B H+#  
+,)  
*2.)  
,
(
=%`e\cU  
'
'
(
( =     - ==   2  
( =     - ==   2  
 J5@5B 7<9 9B 9F;Mꢊ G=B ;@9 DI@G9  
 J5@5B 7<9 9B 9F;Mꢊ F9D9H=H=J9 0 9J  
]C  
9K  
9J  
+#%,#  
+#%,#  
**  
9
 J5@5B 7<9 7IFF9B Hꢊ F9D9H=H=J9 0 9J  
) + /# " 0 81 (T0 FI;;98B 9GG  
$ 5H9 GCIF79 JC@H5;9  
9J  
-
=K  ꢍꢍꢍꢁ   2  
.)  
T1 (T0  
N(^c  
N
-
u+)  
u,)  
-,*  
ꢆꢉ  ꢍꢍꢍ     
/)  
cdQdYS  
@K  
   .   % Nꢅ  
, <   X  
)
,CK9F 8=GG=D5H=CB  
O
d_d  
,
,
cdW  
+ D9F5H=B ; 5B 8 GHCF5;9 H9AD9F5HIF9  
) CIB H=B ; HCFEI9  
<
Z
)  5B 8 )  ꢍꢉ G7F9KG  
D5;9   
FS]  
. 9Jꢍ  ꢍꢀ  
    ꢆꢋ  ꢆꢀ   
Uqj fxj styj ymj sj | ufhpflj inrj sxntsx fwhhtwinsl yt UH S 755>26892F  

与IPW60R045CPFKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPW60R045CS INFINEON

获取价格

CoolMOSTM Power Transistor
IPW60R045P7 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IPW60R055CFD7 INFINEON

获取价格

600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj
IPW60R060C7 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPW60R060C7XKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPW60R060P7 INFINEON

获取价格

600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPW60R070C6 INFINEON

获取价格

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPW60R070CFD7 ISC

获取价格

N-Channel MOSFET Transistor
IPW60R070CFD7 INFINEON

获取价格

600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj
IPW60R070P6 ISC

获取价格

N-Channel MOSFET Transistor