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IPW60R041P6

更新时间： 2023-09-03 20:34:56

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英飞凌 - INFINEON		/
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15页	1932K
描述
英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 CoolMOS™ P6 中设计，填补了专注于提供最佳性能的技术与更专注于易用性的技术之间的空白。

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IPW60R041P6 数据手册

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

CoolMOS™ꢀP6

600VꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀPowerꢀTransistor

IPW60R041P6

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.0

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPW60R041P6FKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IPW60R045CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
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IPW60R045CPA	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPW60R045CPAFKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPW60R045CPFKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IPW60R055CFD7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj
IPW60R060C7	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met