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IPW50R190CEFKSA1

更新时间： 2024-11-18 21:18:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	2097K
描述
Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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IPW50R190CEFKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.77	雪崩能效等级（Eas）：	339 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18.5 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	127 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	63 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPW50R190CEFKSA1 数据手册

IPW50R190CE,ꢀIPP50R190CE

MOSFET

PG-TOꢀ247

PG-TOꢀ220

500VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor

tab

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀseriesꢀcombinesꢀthe

experienceꢀofꢀtheꢀleadingꢀSJꢀMOSFETꢀsupplierꢀwithꢀhighꢀclassꢀinnovation

whileꢀrepresentingꢀaꢀcostꢀappealingꢀalternativeꢀcomparedꢀtoꢀstandard

MOSFETsꢀinꢀtargetꢀapplications.ꢀTheꢀresultingꢀdevicesꢀprovideꢀallꢀbenefits

ofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuse.

Extremelyꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlossesꢀmakeꢀswitching

applicationsꢀevenꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀcompact,ꢀlighterꢀandꢀcooler.

Drain

Pin 2

Gate

Pin 1

Features

Source

Pin 3

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss

•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive

•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound

•ꢀQualifiedꢀforꢀindustrialꢀgradeꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀ(J-STD20

andꢀJESD22)

Applications

PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀPWM

stagesꢀforꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTVꢀandꢀLighting.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

I_D

Value

Unit

550

0.19

24.8

47.2

Ω

Q_g.typ

I_D,pulse

E_oss@400V

4.42

µJ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

IPW50R190CE

Package

Marking

RelatedꢀLinks

PG-TO 247

PG-TO 220

5R190CE

see Appendix A

IPP50R190CE

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2016-06-13

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPW50R199CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPW50R250CP	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology
IPW50R250CPFKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPW50R280CE	INFINEON	获取价格	500V CoolMOSâ¢ CE Power MOSFET
IPW50R299CP	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor Features Extreme dv/dt rated High peak current capability
IPW50R350CP	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor Features Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
IPW50R350CPFKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPW50R350CPXK	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPW50R399CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
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