5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 345 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 114 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 31 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPW50R250CPFKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPW50R280CE | INFINEON |
获取价格 |
500V CoolMOS⢠CE Power MOSFET |
|
| IPW50R299CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor Features Extreme dv/dt rated High peak current capability |
|
| IPW50R350CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor Features Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated |
|
| IPW50R350CPFKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPW50R350CPXK | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPW50R399CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPW60R016CM8 | INFINEON |
获取价格 |
The 600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS? 7 MOSFET fam |
|
| IPW60R017C7 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 109A I(D), 600V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPW60R017C7XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 109A I(D), 600V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
