IPW50R250CP

更新时间： 2024-02-03 21:50:09

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描述
CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology

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IPW50R250CP 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	345 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPW50R250CP 数据手册

IPW50R250CP

CoolMOS^TMPower Transistor

Features

Product Summary

_DS@T_jmax

R _DS(on),max

Q _g,typ

550

0.250

• Lowest figure-of-merit R_ONx Q_g

• Ultra low gate charge

Ω

• Extreme dv/dt rated

• High peak current capability

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Quailfied according to JEDEC¹⁾for target applications

PG-TO247

CoolMOS CP is designed for:

• Hard & soft switching SMPS topologies

• CCM PFC for ATX, Notebook adapter, PDP and LCD TV

• PWM Stages for ATX, Notebook adapter, PDP and LCD TV

Type

Package

Marking

IPW50R250CP

PG-TO247

5R250P

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _D=5.2 A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

Avalanche energy, repetitive t _AR

345

0.52

5.2

2),3)

E _AR

I _AR

Avalanche current, repetitive t _AR

MOSFET dv /dt ruggedness

Gate source voltage

_DS=0...400 V

dv /dt

V _GS

V/ns

±20

±30

114

-55 ... 150

static

AC (f>1 Hz)

T _C=25 °C

P _tot

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

Mounting torque

°C

M3 and M3.5 screws

page 1

Ncm

Rev. 2.0

2007-11-07

Please note the new package dimensions arccording to PCN 2009-134-A

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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