5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.64 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 249 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 211 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPW60R040C7XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPW60R040CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
|
| IPW60R040CFD7XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPW60R041C6 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS C6 Power Transistor |
|
| IPW60R041C6FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IPW60R041P6 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 |
|
| IPW60R041P6FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IPW60R045CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPW60R045CP_08 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPW60R045CPA | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
