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IPW50R199CP PDF预览

IPW50R199CP

更新时间： 2024-11-18 11:08:59
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 603K
描述
CoolMOS Power Transistor

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IPW50R199CP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.8
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：436 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.199 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：139 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPW50R199CP 数据手册

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IPW50R199CP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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