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IPW50R140CP

更新时间： 2024-02-12 13:08:18

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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10页	362K
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CoolMOSTM Power Transistor

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IPW50R140CP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	18 weeks
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	616 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPW50R140CP 数据手册

IPW50R140CP

9 Typ. gate charge

_GS=f(Q _gate); I _D=14 A pulsed

10 Forward characteristics of reverse diode

I _F=f(V _SD

)

parameter: V _DD

parameter: T _j

10²

25 °C, 98%

120 V

400 V

150 °C, 98%

25 °C

150 °C

10¹

10⁰

10^-1

0.5

1.5

_gate[nC]

_SD[V]

11 Avalanche energy

12 Drain-source breakdown voltage

_AS=f(T _j); I _D=9.3 A; V _DD=50 V

_BR(DSS)=f(T _j); I _D=0.25 mA

700

600

500

400

300

200

100

580

560

540

520

500

480

460

440

125

175

-60

-20

100

140

180

T _j[°C]

Rev. 1.01

page 6

2007-02-06

1...3 4 567 8 9 10

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