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IPW50R140CP

更新时间: 2024-10-28 03:40:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 362K
描述
CoolMOSTM Power Transistor

IPW50R140CP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-247AC
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:8.45
雪崩能效等级(Eas):616 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):23 A
最大漏极电流 (ID):23 A最大漏源导通电阻:0.14 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-247AC
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):192 W最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPW50R140CP 数据手册

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IPW50R140CP  
9 Typ. gate charge  
GS=f(Q gate); I D=14 A pulsed  
10 Forward characteristics of reverse diode  
I F=f(V SD  
V
)
parameter: V DD  
parameter: T j  
102  
10  
25 °C, 98%  
120 V  
400 V  
150 °C, 98%  
8
6
4
2
25 °C  
150 °C  
101  
100  
10-1  
0
0
0
0.5  
1
1.5  
2
10  
20  
Q
30  
gate [nC]  
40  
50  
V
SD [V]  
11 Avalanche energy  
12 Drain-source breakdown voltage  
E
AS=f(T j); I D=9.3 A; V DD=50 V  
V
BR(DSS)=f(T j); I D=0.25 mA  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
580  
560  
540  
520  
500  
480  
460  
440  
25  
75  
125  
175  
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
T j [°C]  
T j [°C]  
Rev. 1.01  
page 6  
2007-02-06  

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