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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 18 weeks |
| 风险等级： | 5.76 | 雪崩能效等级（Eas）： | 616 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 23 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IPW50R140CP_08 | INFINEON | CoolMOS Power Transistor |
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| IPW50R190CE | INFINEON | 500V CoolMOS⢠CE Power MOSFET |
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| IPW50R190CEFKSA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPW50R199CP | INFINEON | CoolMOS Power Transistor |
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| IPW50R250CP | INFINEON | CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
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| IPW50R250CPFKSA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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