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IPW50R140CP

更新时间: 2024-10-28 03:40:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 362K
描述
CoolMOSTM Power Transistor

IPW50R140CP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-247AC
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:8.45
雪崩能效等级(Eas):616 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):23 A
最大漏极电流 (ID):23 A最大漏源导通电阻:0.14 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-247AC
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):192 W最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPW50R140CP 数据手册

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IPW50R140CP  
13 Typ. capacitances  
14 Typ. Coss stored energy  
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz  
E oss= f(V DS)  
5
12  
100000  
10  
4
10000  
10  
9
6
3
Ciss  
3
1000  
10  
Coss  
2
100  
10  
1
10  
10  
Crss  
0
0
0
1
10  
100  
200  
300  
400  
500  
0
100  
200  
V
300  
DS [V]  
400  
500  
V DS [V]  
Rev. 1.01  
page 7  
2007-02-06  

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